Introduktion af PVD belægning viden
Mar 06, 2019| Introduktion af PVD belægning viden
IKS PVD, iks.pvd @ foxmail.com
PVD (fysisk dampaflejring): processen med at overføre et atom eller molekyle fra en kilde til substratoverfladen ved anvendelse af en fysisk proces. Dens rolle er at gøre nogle af de specielle egenskaber (høj styrke, slidstyrke, varmeafledning, korrosionsbestandighed osv.) Af partiklerne sprøjtet på matricen med lavere ydelse, så matrixen har bedre ydeevne. Grundlæggende metoder til PVD: vakuumfordampning, sputtering, ionplating (hul katode ionplating, hot cathode ion plating, bue ion plating, reaktiv ionplating, rf ionplating, DC udladning ionplating)
PVD-teknologien opstod i fremstillingen af tynde film med høj hårdhed, lav friktionskoefficient, god slidstyrke og kemisk stabilitet og andre fordele. I første omgang har den succesfulde anvendelse inden for højhastighedstålværktøjer tiltrukket stor opmærksomhed fra fremstillingsindustrien over hele verden. Mens der udvikles højpræstations- og højrisiko-belægningsudstyr, har folk også udført mere dybtgående undersøgelser af belægningsapplikationen i hårdmetal og keramikværktøjer. Sammenlignet med CVD-processen er PVD-processtemperaturen lav, under 600 ° C, når bøjningsstyrken ved skærende værktøjsmaterialer; Den interne spændingstilstand for filmen er kompressionsspænding, som er mere egnet til belægningen af hårdmetalpræcision og komplekse værktøjer. PVD-processen har ingen negativ indvirkning på miljøet i overensstemmelse med udviklingsretningen for moderne grøn produktion. På nuværende tidspunkt er PVD belægningsteknologi blevet anvendt i vid udstrækning i overfladebehandling af karbidmøtrik, borekrone, trinbor, oliehullerborer, reamer, haner, indekserbare fræsere, drejeblade, specialformet fræser, svejsearbejder og så videre.
PVD-teknologien forbedrer ikke kun bindingsstyrken mellem tyndfilm og værktøjsmatrixmateriale, men udvikler også belægningssammensætningen fra den første generation TiN til TiC, TiCN, ZrN, CrN, MoS2, TiAlN, TiAlCN, tin-aln, CNx, DLC og ta-c osv. [2]
Forbedret magnetisk styret katodebue: Katodebue-teknologi er at afslutte aflejringen af tynde filmmaterialer under vakuumtilstand ved at desintegrere målet i ions tilstand gennem lav spænding og høj strøm. Den forbedrede magnetronkatodebue kan effektivt styre bågen på overfladen af målmaterialet ved at anvende interaktionen af det elektromagnetiske felt, således at ioniseringshastigheden af materialet er højere, og filmytelsen er bedre.
Filtreret katodbue: Filtreret katodisk bue (FCA) elektromagnetisk filtreringssystem, udstyret med høj effektiv ionkilde, kan fremstilles af de makroskopiske partikler i plasma- og ionmassefilterrengøringen efter magnetisk filtrering af ioniseringshastigheden for sedimentpartikler var 100% og kan filtrere ud af de større partikler, så fremstillingen af filmen er meget kompakt og glat, med god korrosionsbestandighed, og kroppens vedhæftningsstyrke er meget stærk.
Magnetron-sputtering: I et vakuummiljø bombarderes målet med ioniserede inerte gasioner gennem den kombinerede virkning af spændings- og magnetfelt, hvilket resulterer i, at målet udsprøjtes i form af ioner, atomer eller molekyler og deponeres på substratet for at danne en film. Afhængigt af den anvendte ioniseringskilde kan både ledere og ikke-ledende materialer sputteres som målmaterialer.
Ion beam DLC: carbonhydridgas ioniseres i plasma i ionkilden. Under den kombinerede virkning af elektromagnetisk felt frigives carbonion fra ionkilden. Ionbjælkens energi styres ved at justere spændingen på plasmaet. Hydrocarbonionbjælken ledes til substratet, og aflejringshastigheden er proportional med ionstrømtætheden. Ionstrålekilden til stjernebueovertrækningen er højspænding, så ionenergien er større, hvilket gør filmen og substratet god vedhæftning. Den større ionstrøm gør aflejringshastigheden af DLC-film hurtigere. Den største fordel ved ionstråle teknologi er, at den kan lægge ultra-tynd og flerlags struktur, processtyringspræcisionen kan nå adskillige ångstrømninger, og fejlene forårsaget af partikelforurening i processen kan minimeres.
