Medium frekvens magnetron sputtering belægningsteknologi

Medium frekvens magnetron sputtering belægningsteknologi

Magnetron forstøvning omfatter mange typer. Hver har forskellige arbejdsprincipper og anvendte objekter. Men de har en ting til fælles: De bruger magnetfelter til at interagere med elektroner, hvilket får dem til at spiral rundt om målfladen, hvilket øger sandsynligheden for, at de vil ramme argon for at producere ioner. De dannede ioner kolliderer med målfladen under virkningen af elektrisk felt og sprøjter målmaterialet ud. I de seneste årtier af udvikling vedtager folk gradvist permanente magneter, sjældent spiralmagneter.

Målkilden er opdelt i afbalanceret og ikke-afbalanceret, afbalanceret målkildebelægning Ensartet, ikke-afbalanceret målkildebelægning filmlag og matrix bindende kraft er stærk. Balancerede målkilder anvendes mest i halvlederoptiske film, mens ubalancerede mål hovedsagelig anvendes i slidte dekorative film.

Uanset ligevægt eller ikke-ligevægt, hvis magneten er stationær, bestemmer dens magnetfeltegenskaber, at den generelle målmaterialeudnyttelsesgrad er mindre end 30%. For at øge målets udnyttelsesgrad kan det roterende magnetfelt anvendes. Imidlertid kræver roterende magnetfelt rotationsmekanisme, og fortyndingshastigheden bør reduceres. Det roterende magnetfelt bruges mest til store eller værdifulde mål. Såsom semiconductor film sputtering. For lille udstyr og generelt industrielt udstyr, brug af statisk magnetfelt målkilde.

Sputtering af metaller og legeringer med en magnetron målkilde er let, og tænding og forstøvning er nemme. Dette skyldes, at målet (katode), plasma og sprøjtede dele / vakuumhulrum kan danne en sløjfe. Men hvis sputterisolatoren, såsom keramik, er kredsløbet brudt. Så folk bruger højfrekvente strømforsyninger, kredsløbet tilføjer meget stærk kapacitans. Målet bliver således en kondensator i det isolerede kredsløb. Spændingsforsyningen med højfrekvent magnetron er imidlertid dyr, sputteringshastigheden er meget lille, og jordingensteknologien er meget kompleks, så det er svært at bruge i stor skala. For at løse dette problem blev magnetronreaktiv sputtering opfundet. Dette er et metalmål med argon og reaktive gasser, såsom nitrogen eller oxygen tilsat. Når et metalmål kolliderer med en del, kombineres det med reaktionsgassen for at danne nitrider eller oxider på grund af energiomdannelse.

Magnetron reaktive sputtering isolatorer synes let, men er vanskelige at betjene. Hovedproblemet er, at reaktionen ikke kun finder sted på overfladen af delen, men også på anoden, overfladen af vakuumhulrummet og overfladen af målkilden. Således forårsager brandsletningen, målkilden og emnet overfladeoverflade og så videre. Tvillingmåletkildeteknologien opfundet af Tyskland laibao løser dette problem godt. Princippet er, at et par målkilder er anode og katode for at eliminere anodisk overfladeoxidering eller nitrering.

Køling er nødvendig for alle kilder (magnetron, multibue, ion), fordi en stor del af energien omdannes til varme, som, hvis den ikke afkøles eller ikke afkøles nok, vil smelte hele målkilden ved en temperatur på mere end en tusind grader.

En magnetisk styreenhed er ofte meget dyr, men folk har en tendens til at bruge penge på andet udstyr, såsom vakuumpumpe, MFC, filmtykkelsesmåling og ignorere målkilden. En god magnetron sputtering enhed uden en god målkilde er som at tegne en drage uden et punkt.

Fordelene ved mellemfrekvensforstøvning er glat og tæt filmhøjt filmhøjde, lineær vækst af filmtykkelse, ikke-toksisk, mild temperaturstigning, men kravene til udstyr er høje, arbejdstrykområdet er meget smalt og forskellige kontrol kravene er hurtige og præcise.

Multi-arc sputtering påførte små spændinger og stor strøm på målmaterialet for at ionisere materialet (positivt ladede partikler) og således ramte substratet (negativt ladet) ved høj hastighed og aflejring, hvilket dannede en tæt filmharp film. Bruges hovedsageligt til slidbestandig og korrosionsbestandig film. Ulempen er, at filmen ikke er ensartet, kavitation og ablation.

Princippet om mellemfrekvenssputtering med generel DC-sputtering er den samme, forskellen er, at DC sputterer cylinderen, når anoden og mellemfrekvensforstøvningen er parvis, tønde, om der er tale om, afhænger af det overordnede design, og hele systemspaltningsprocessen, anodens katode er der mange måder at deltage i forholdet mellem cyklussen, forskellige måder af forskellige sputtering udbytte kan opnås, er ikke den samme iontæthed

Den vigtigste teknologi, hvis sputtering ligger i design og anvendelse af strømforsyning. I øjeblikket er sinusbølge og pulsfirkantbølge to slags udgangsmetoder, som har deres egne fordele og ulemper. For det første skal typerne af filmlag anses for at analysere, hvilken type strømforsyning udgangstilstand er egnet til hvilket filmlag.

Intermediate frekvens sputtering er også en slags magnetron sputtering, generelle magnetron sputtering mål design, designet af magnetfeltet er nøglen til den forskellige teknologi, den internationale flere berømte producenter af sputtering mål for design af magnetiske felt er professionelt, ændre magnetfelt design kan få forskellig plasma fordampning. Elektrons sti, fordelingen af plasmaet, er også de tekniske hemmeligheder for sputtering-målet magnetfelt.

Hvad angår katodbue (dvs. ionplating), magnetronsputtering og smeltedigelfordampning, er alle tilhørende PVD (fysisk dampaflejring), er fordampdampningen primært en faseændring, og fordampningsmålet har kun få elektronvoltener af energi. Derfor er filmadhæsionen lille, men høj aflejringshastighed, der hovedsagelig anvendes til optisk belægning. Ved magnetronsputtering implanterer argonioner på målmaterialet for at deponere atom- og molekylfragmenter på delene, og målmaterialets kinetiske energi kan nå hundreder eller endda tusindvis af elektronvolt. Det er en ægte neutral nano-belægning. Efter katodens bueformning smelter metallurgi af materialet ved måloverfladen ved høj temperatur, og derefter smelter det smeltede materiale næsten fuldstændigt af det stærke elektriske felt, og filmen dannes under den kombinerede virkning af målstrømforsyningen og partielt partialtryk. Det ser ud til, at katodbuepletteringen er mere avanceret, faktisk er det ikke. Først og fremmest er måloverfladesmeltningsprocessen tilfældig og ukontrollabel, og ioner deponeres i delene. Ensartetheden og glatheden af plating er vanskelig at garantere. Katodbueplettering er generelt en svejseproces under vakuum. Princippet om katodebue strømforsyning og svejsning strømforsyning er meget ens. Katodebue-teknologien er hovedsagelig stammer fra den tidligere sovjetiske union. Det er populært i Kina af forskellige grunde. Men teknologien er ved at blive bedre. I de senere år har filtreringskatodebc-teknologien udviklet sig hurtigt, hvilket undgår ulempen ved ujævn filmdannelse. Imidlertid skal nogle gevinster gå tabt, og filtreringen reducerer deponeringshastigheden og øger udstyrsomkostningerne.

Mellemfrekvens magnetron sputtering kræver højt mål og magnetfelt design samt arbejdstryk. Mellemfrekvens magnetron forstøvning er 2 til 3 gange DC magnetron sputtering deponeringshastighed. Mellemfrekvens magnetron sputtering anvendes til to mål til fremstilling af sammensatte film. På grund af den lave ioniseringshastighed er det svært at finde et optimalt forgiftningssted, og strømstyringen af arbejdsgassen er meget streng. Hvis kontrollen ikke er god, er det svært at fremstille ensartet og god vedhæftningsfilm. Og designet er hovedsageligt ensartetheden af magnetfeltfordeling af magnetfeltet kan forbedre udnyttelsesgraden af målmaterialet, så ud over stabiliteten af den bedste forgiftning har noget arbejde også meget at forbedre magnetronsputteringens ionenergi og diffraktion er langt under buen målfladen og afstanden til emnet er vigtigt, for tæt på ionbombardement af artefakter kan beskadige membranlaget, for langt er afvigelse fra den optimale sputtering belægningskraften af forberedelsen af afstanden meget dårlig

Målmaterialet for if bruges til mål, nogle af dem bruges til tre par. Målet er relativt stort, for hvis de fleste bruges til metalbelagte emner. En sådan vakuumovn bliver generelt større, hvilket kan lægge mange opgaver, og det belagte filmlag er mere tæt.

Er du interesseret i Medium Frequency magnetron sputtering belægningsmaskin, kontakt med IKS PVD nu, iks.pvd @ foxmail.com

Kan hvis forstøvning arbejde med lavt vakuum? Der er ikke noget problem. Vores nuværende tidsplan er 8,0 * 10-2pa.

Hvad er indflydelsesfaktorerne for TiN-filmfarve med, hvis sputtering? Hvad er virkningen af forspænding på L, a og b?

Bias har meget at gøre med farve,

Virkning af sputtering gastryk (argon) på L, a og b værdier?

Dette problem er kompliceret, hvilket er relateret til ioniseringshastighed, tryk og målafstand sammenkoblingsmåde. Det kan tage lang tid at systematisere meget klare data. Sputtering gas og farve siges at være bestemt af den dannede sputtering mængde, som påvirker forholdet med reaktionsgassen og har indflydelse på farve

Er det muligt at anvende ammoniak i reaktiv forstøvning? Ja.